Descrição
A Memória RAM CLANM DDR3 8GB possui capacidade para entregar boa performance em diversas aplicações.
Especificações Técnicas da Memória RAM Clanm
Capacidade:
8GB
Frequência de operação:
1600MHz
Fonte de alimentação:
Padrão JEDEC de 1,5 V
VDDQ:
1,5V
FCK de 800 MHz para 1600 Mb/seg/pino
8 bancos internos independentes
Latência CAS programável: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Latência Aditiva Programável: 0, CL – 2 ou CL – 1 clock
Pré-busca de 8 bits
Duração do Burst: 8, 4 com tCCD = 4, o que não permite leitura ou gravação contínua (seja em tempo real usando A12 ou MRS)
Strobe de Dados Diferencial Bidirecional
Calibração interna (auto): através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Terminação na matriz usando pino ODT
Período médio de atualização: 7,8us a temperaturas inferiores a TCASE 85°C, 3,9us a 85°C < TCASE < 95°C
Reinicialização assíncrona
PCB: Altura 18,75mm ou 30,00mm
